# Arm®
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10
# Arm®
gdnvasdk
LV.1
2026年7月13日
已采纳
Johnson
5 天前
1.这个勘误描述略微有些误导,此处指的是快速关、开影子寄存器并修改预装载值时,预装载值不会立马写回影子寄存器,而是在预装载值被修改后的下一次计数器CNT值变化(计数器出现上升边沿)时写回生效。
2.如上述,此处的bug不影响电机控制中开启影子寄存器的单电阻采样与更新PWM占空比,GD32F4xx系列做单电阻FOC电机的成功案例颇多。
JSM-朱工
LV.2
2026年7月11日
ChangHong Li
LV.1
2026年7月6日
Johnson
时间:2026-07-08
观察您所述的现象非常像Cache缓存一致性问题引发的总线死锁,建议参照附件的demo配置下MPU,
原理是把ARM分配给GD MCU的4GB地址保护起来,再逐个打开MCU当前已经用到的存储区域,以达到保护总线及内存的目的

